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屏蔽柵金屬氧化物半導體場效應管(SGT MOSFETs)

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Maximum的SGT MOSFET器件提供低導通、快速、ESD保護、Rg集成等全系列完整產品線。通過優化的結構設計、先進的制造工藝和可靠的封裝,實現了功率密度最大化以及優秀的FOM (品質因子(Qg*Rdson))值,使應用領域范圍大大提高。

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屏蔽柵金屬氧化物半導體場效應管(SGT MOSFETs)

Maximum的SGT MOSFET器件提供低導通、快速、ESD保護、Rg集成等全系列完整產品線。通過優化的結構設計、先進的制造工藝和可靠的封裝,實現了功率密度最大化以及優秀的FOM (品質因子(Qg*Rdson))值,使應用領域范圍大大提高。

所屬分類:

功率器件

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