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lnfineon替代品的條件與發(fā)展
2023-03-20
lnfineon替代品的條件與發(fā)展
不可否認(rèn)，lnfineon在技術(shù)上優(yōu)于國貨，但不要盲目相信進(jìn)口。國產(chǎn)MOS管具有屏蔽柵功率和超結(jié)功率MOSFET的特色工藝技術(shù)，部分產(chǎn)品參數(shù)性能與lnfineonMOS管幾乎相同。近年來，國內(nèi)對(duì)替換MOSFET的需求比較明顯。國產(chǎn)lnfineon替代進(jìn)入快速增長期。越來越多的中小客戶完成了高比例的本地化。在工業(yè)領(lǐng)域及部分細(xì)分領(lǐng)域，國產(chǎn)化率已達(dá)50％以上。越來越多的人相信國貨，相信國企。
那么lnfineon是如何替代它的呢？相對(duì)而言，lnfineonIGBT的應(yīng)用范圍更廣。隨著以軌道交通和新能源汽車產(chǎn)業(yè)為代表的新興市場(chǎng)的崛起，IGBT模塊等功率器件將有進(jìn)一步的增長空間。lnfineon的充電樁、變流器、逆變器等配套設(shè)施尤其需要IGBT作為控制單元。國內(nèi)企業(yè)在經(jīng)歷了缺貨后，談不上芯片荒！再次經(jīng)歷貿(mào)易戰(zhàn)的洗禮，越來越多的中下游廠商積極嘗試接受國產(chǎn)IGBT，這給國產(chǎn)IGBT模塊更多的試錯(cuò)機(jī)會(huì)，從而推動(dòng)國產(chǎn)IGBT的技術(shù)迭代，讓國產(chǎn)IGBT成為可能。進(jìn)入市場(chǎng)的lnfineon替代品。這種情況為替代品奠定了良好的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
在國內(nèi)產(chǎn)品研發(fā)初期，進(jìn)一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，采用先進(jìn)的超薄晶圓技術(shù)，大幅提升了器件的功率密度，顯著提升了器件的功率密度。持續(xù)創(chuàng)新提高動(dòng)態(tài)和靜態(tài)性能。模塊面積更小，芯片厚度更薄；甚至導(dǎo)通電壓降低0.3V左右，開關(guān)損耗降低20％以上；這一重大技術(shù)創(chuàng)新的進(jìn)步使設(shè)備能夠承受更高的工作溫度并具有更長的使用壽命；不僅保持強(qiáng)短路能力和高參數(shù)一致性；整體性能達(dá)到lnfineon IGBT的一般水平。這為lnfineon技術(shù)替代鋪平了道路，讓國內(nèi)企業(yè)大膽開始技術(shù)改進(jìn)。
事實(shí)上，很多業(yè)主的顧慮與大多數(shù)項(xiàng)目不同，導(dǎo)致大多數(shù)業(yè)主有節(jié)省成本的意圖，但工程師在落地時(shí)無法配合。由于對(duì)新品牌的陌生和不信任，很多項(xiàng)目都不愿意輕易增加工作量和風(fēng)險(xiǎn)更換。lnfineonMOS管和lnfineon IGBT雖然不錯(cuò)，但出于成本考慮，為什么不換成性能相近但價(jià)格有競(jìng)爭(zhēng)力的國產(chǎn)產(chǎn)品呢？我堅(jiān)信中國企業(yè)正在騰飛。快遞行業(yè)內(nèi)的發(fā)展。
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