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lnfineon替代的條件和發(fā)展
2022-07-28
很多質疑的聲音都是關于lnfineon替代的，我可以用什么來lnfineon替代coolmos？ 英飛凌IGBT可以用國產(chǎn)IGBT替代嗎？ 下面為大家解答：其實國內很多MOS管根據(jù)參數(shù)是可以換成lnfineon的，主要是根據(jù)電壓、電流等參數(shù)，工程師可以判斷。
不可否認，lnfineon在技術上確實優(yōu)于國產(chǎn)，但不要盲目相信進口。 國內的MOS管具有屏蔽柵功率和超結功率MOSFET的特色工藝技術，其部分產(chǎn)品的參數(shù)性能與英飛凌MOS管的送樣性能幾乎相同 。近年來，國內替代MOSFET的需求比較明顯。國內lnfineon替代進入快速增長期。 越來越多的中小客戶完成了高比例的本地化。 在工業(yè)領域及部分細分領域，國產(chǎn)化率已達到50％以上。越來越多人相信國產(chǎn)產(chǎn)品和國產(chǎn)企業(yè)。
那么lnfineon替代怎么做到呢？ 相對而言，英飛凌IGBT的應用范圍更廣。 隨著以軌道交通和新能源汽車產(chǎn)業(yè)為代表的新興市場的崛起，將進一步為IGBT模塊等功率器件創(chuàng)造大量增長空間。 lnfineon充電樁、變流器、逆變器等配套設施尤其需要IGBT作為控制單元。 歷經(jīng)缺貨的事情，國內企業(yè)對于芯片短缺的事情，都是有苦難言?。≡俅谓?jīng)過貿易戰(zhàn)的洗禮，越來越多的中下游廠商主動嘗試接受國產(chǎn)IGBT，這讓國產(chǎn)IGBT模塊有了更多的試錯機會，從而推動了國產(chǎn)IGBT的技術迭代，讓國產(chǎn)IGBT進入市場lnfineon替代。這個局面為替代奠定了良好的市場機遇。
國產(chǎn)產(chǎn)品的研發(fā)初期，進一步優(yōu)化器件結構，采用先進的超薄晶圓工藝，大幅提升器件功率密度，顯著提升器件的功率密度。不斷創(chuàng)新改善動態(tài)和靜態(tài)性能。 使得模塊面積更小，芯片厚度更?。簧踔磷寣妷航档图s0.3V，開關損耗降低20％以上；這一大技術革新的進步，讓設備能承受更高的工作溫度，使用壽命更長；不但保持較強的短路能力和高參數(shù)一致性；而且綜合性能達到英飛凌IGBT的一般水平。這為lnfineon替代鋪好了技術的大路，讓國產(chǎn)企業(yè)可以大膽地開始技術提高。
事實上，很多業(yè)主的顧慮與大多數(shù)項目不同，導致大多數(shù)業(yè)主有節(jié)省成本的意圖，但工程師在落地時無法配合。 由于對新品牌的不熟悉和不信任，很多項目都不愿意輕易增加工作量，冒險進行替換。英飛凌MOS管和英飛凌IGBT雖然不錯，但出于成本考慮，何不換成性能相近但價格有優(yōu)勢的國產(chǎn)產(chǎn)品呢？堅信中國企業(yè)的正在騰飛。行業(yè)內在快遞發(fā)展。
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